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SiB452DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
I D = 0.5 A
6
1
4
T J = 125 °C
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.1
2
T J = 25 °C
0.01
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
0
2
4
6
8
10
1.3
1.2
1.1
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
20
15
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μ A
1.0
10
0.9
0. 8
0.7
0.6
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
P u lse (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Limited by R DS(on) *
I DM Limited
1
100 μs
0.1
I D(on)
Limited
1 ms
10 ms
100 ms
0.01
0.001
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
1 s, 10 s
DC
1
10
100
1000
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68832
S-81724-Rev. A, 04-Aug-08
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